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Beschreibung
| Beschreibung | Two energy band diagrams illustrate the concept of surface photovoltage (SPV) in an n-type semiconductor. In a), surface defects cause the formation of a space-charge region (SCR) where the conduction band that is the origin of majority carriers is bent away from the Fermi level at the surface. b) Under illumination, the influx of minority carriers screens surface charges and flattens the bands. The SPV is the change in the potential at the surface due to illumination. Created by Alison Chaiken using xmgrace. |
| Datum | 24. Dezember 2006 (Original-Hochladedatum) |
| Quelle | Die Autorenschaft wurde nicht in einer maschinell lesbaren Form angegeben. Es wird angenommen, dass es sich um ein eigenes Werk handelt (basierend auf den Rechteinhaber-Angaben). |
| Urheber | Die Autorenschaft wurde nicht in einer maschinell lesbaren Form angegeben. Es wird Chaiken als Autor angenommen (basierend auf den Rechteinhaber-Angaben). |
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| Version vom | Vorschaubild | Maße | Benutzer | Kommentar | |
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| aktuell | 23:44, 24. Dez. 2006 | | 662 × 468 (5 KB) | Chaiken | Two energy band diagrams illustrate the concept of surface photovoltage (SPV) in an n-type semiconductor. In a), surface defects cause the formation of a space-charge re |
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