Datei:MOS-FET gate with SOI (Partially Depleted v.s. Fully Depleted).PNG
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Beschreibung
| Beschreibung |
English: MOS-FET gate in silicon-on-insulator (SOI) technology: A.) partially depleted vs. B) fully depleted). Legend:
Deutsch: MOS-FET-Gate mit silicon-on-insulator-(SOI)-Technologie: A) teilweise verarmt, B.) vollständig verarmt). Legende:
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| Datum | |
| Quelle | Made by uploader (ref:「システムLSIのできるまで」編集委員会編著、『システムLSIのできるまで』、日刊工業新聞社、2002年12月10日初版発行、ISBN 4526050482, 西久保靖彦著、『半導体の基本と仕組み』、秀和システム、2003年3月6日第1版第1刷発行、ISBN 4798004928, http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/20110506_444011.html) |
| Urheber | Shigeru23 |
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| Version vom | Vorschaubild | Maße | Benutzer | Kommentar | |
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| aktuell | 16:38, 26. Mai 2011 | | 492 × 880 (29 KB) | Shigeru23 | {{Information |Description ={{en|1=MOS-FET gate with SOI (Partially Depleted v.s. Fully Depleted)}} |Source =Made by uploader (ref:「システムLSIのできるまで」編集委員会編著、『システムLSIのできるまで』、日刊� |
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