Liste von Halbleitergehäusen

Halbleiter-Chips von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, ICs sowie auch Laserdioden und Phototransistoren und -dioden benötigen zur Abdichtung gegenüber Umwelteinflüssen, zur weiteren Verarbeitung, zum elektrischen Anschluss und zur Wärmeableitung ein Gehäuse.

Dieser Artikel erfasst vorwiegend die diskreten Bauelemente, die Gehäuse für integrierte Schaltungen werden dagegen unter Chipgehäuse behandelt.

Grundsätzlich unterscheidet man bedrahtete Bauteile (Durchsteckmontage, kurz THT von engl. Through Hole Technology beziehungsweise THD von engl. Through Hole Device) und Bauteilgehäuse für Oberflächenmontage (kurz SMT von engl. Surface Mounted Technology oder SMD von engl. Surface Mounted Device).

SMDs besitzen Anschlussbeine, die nicht durch die Leiterplatte gesteckt, sondern auf der Oberfläche verlötet werden.

Bedeutung der jeweiligen Abkürzungen mit ihren zugehörigen Bezeichnungen:

DO – diode outline
TO – transistor outline
SIP – single inline package
DIP – dual inline package

Normen:

JEDEC
JEITA
Firmeneigene „Normung“

Gehäuse für Durchsteckmontage (THT)

Axial-Gehäuse (zwei Anschlüsse)

Verwendet für Dioden, DIACs:

DO-35, SC-40, SOD-27, DO-204AH (Glas)
DO-41 (Plastik; Dioden mit ca. 0,5…2 A)
- DO-41 von Renesas = Glasgehäuse
SOD-57 (Glas; Dioden mit ca. 1 A)
DO-15 (1,5…2 A)
DO-201AD (Plastik; Dioden mit ca. 3…5 A)
DO-201AE (Plastik; häufig für Suppressordioden für Ppp = 1500 W oder Z-Dioden mit Ptot = 5 W)
P-6, R-6, P600, DO-204AR (Plastik; Dioden mit ca. 6…8 A)
DO-1 (Metallgehäuse mit integr. Kühlrippen) (Semikron)

Runde Metallgehäuse, Anschlüsse an einer Seite

Bis in die 1980er Jahre allgemein üblich, seitdem nur noch selten verwendet. Heute übliche Anwendung sind unter anderem Photodioden, pyroelektrische Sensoren, Laserdioden.

TO-18

TO-78 mit 8 Pins

TO-3 / TO-204

TO-3, TO-204: zwei Drahtanschlüsse, Metallgehäuse bildet dritten Anschluss. Leistungstransistoren, z. B. 2N3055
TO-5, TO-5AA
TO-8
TO-9
TO-18: drei Drahtanschlüsse; Kleinsignaltransistoren, z. B. BC 107-Reihe
TO-39: drei Drahtanschlüsse; Kleinleistungstransistoren, z. B. BC 141-Reihe
TO-46
- H02A = TO-46 mit 2 Drahtanschlüssen (National)
- H03H = TO-46 mit 3 Drahtanschlüssen (National)
- H04D = TO-46 mit 4 Drahtanschlüssen (National)
TO-66, verkleinertes TO-3: zwei Drahtanschlüsse, Metallgehäuse bildet dritten Anschluss. Leistungstransistoren, z. B. 2N3054
TO-72 = TO-18 mit vier Drahtanschlüssen
TO-71 = TO-18 mit sechs Drahtanschlüssen
- H06C = TO-5 mit 6 Drahtanschlüssen (National)
- H08C = TO-5 mit 8 Drahtanschlüssen (National)
- H10C = TO-5 mit 6…10 Drahtanschlüssen (National)
TO-77 = TO-39 mit sechs Drahtanschlüssen
TO-78 mit sechs oder acht Drahtanschlüssen

Eckige Metallgehäuse (ähnlich TO-220 und TO-247)

TO-257 = ähnlich TO-220AB, jedoch Metallgehäuse
TO-254 = ähnlich TO-220AB, jedoch Metallgehäuse
TO-258 = ähnlich TO-218, jedoch Metallgehäuse
TO-259
TO-267 = ähnlich TO-218, jedoch Metallgehäuse

Metallgehäuse mit Gewindebolzen

Werden für Dioden, Thyristoren, Transistoren verwendet; der Gewindebolzen dient zugleich als elektrischer Anschluss und zur Montage auf einer Wärmesenke.

DO-4 (2-polig)
DO-5 (2-polig)
DO-8 (2-polig)
DO-9 (2-polig)
DO-203AA (2-polig; Gewinde M6)
DO-203AB (2-polig; Gewinde M8)
DO-205AB (2-polig; Gewinde M16)
DO-205AC (2-polig; Gewinde M12)
SO-32A, SO-32B (2-polig; Gewinde M8)
TO-63 (3-polig)
TO-114 (3-polig)
TO-208AA, TO-48 (3-polig; Gewinde M6)
TO-208AB, TO-64 (3-polig; Gewinde M5)
TO-208AC, TO-65 (3-polig; Gewinde M8)
TO-209, TO-94 (3-polig; Gewinde M12)
TO-209, TO-93 (3-polig; Gewinde M16)
TO-209AA (3-polig)
TO-209AB (3-polig)
TO-209AC (3-polig)
TO-209AC, TO-118 (3-polig; Gewinde M24)
TO-59 (3-polig)
TO-60 (3-polig)
TO-61 (3-polig)
TO-63 (3-polig)
TO-65 (3-polig)
TO-83 (3-polig)
TO-93 (3-polig)
TO-94 (3-polig)

Kapselförmige Gehäuse (capsule) oder Puck-Gehäuse

TO-200AB (3-polig; D × h = 41,5 × 14 mm)
TO-200AC (3-polig; D × h = 58 × 26 mm)
TO-200AD (3-polig; D × h = 73 × 26 mm)
TO-200AF (3-polig; D × h = 111 × 37 mm)

Metallgehäuse zum Einpressen

Einpressdioden und -thyristoren besitzen ein zylindrisches, geriffeltes Gehäuse aus Kupfer mit einem Kragen; sie werden in Kühlkörper eingepresst.

Kunststoffgehäuse mit und ohne Kühlfahne

TO-92 / SC-43

TO-92 Varianten: leads on circle/molded/JEDEC TO-92-18R, wide pitch/In Line/molded, straight lead/JEDEC TO-92

TO-226 / SC-51

TO-220AB

TO-247AC

TO-218 / TOP-3

TO-264 / TO-3PBL / TO-3PL / SOT430 / TO-247-JUMBO / TOP3L

(für Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs):

TO-92, SC-43, RD-26, NP (Sanyo)
- TO-92HS = TO-92 mit Kühlflansch
- E-Line = ähnlich TO-92 (Zetex)
- Miniplast = ähnlich TO-92 und E-line (Kombinat Mikroelektronik Erfurt)
- MINI = ähnlich TO-92 (Toshiba)
- SST = ähnlich TO-92 (NEC)
- TO-226, TO-226AA, SC-51, TO-92 Mod, TO-92L, LSTM (Toshiba), MP (Sanyo) = längere Version von TO-92
- TO-92S, TO-92M
TO98
TO-126, TO-225AA
- TO-126 vollisoliert
TO-251, IPAK, PW-MOLD, PW-MOLD2 (Toshiba), DPAK(L)
TO-220
- TO-220AB, SOT78 (3 Pins)
- TO-220AC, SOD59 (2 Pins)
- TO-220-4 (4 Pins)
- TO-220-5 (5 Pins)
- vollisolierte Version von TO-220AB (JEITA: SC-67)
  - TO-220F (Fairchild, Sanken, Fuji Electric)
  - TO-220FP (ST Microelectronics)
  - TO-220 FULLPACK (ON Semiconductor, International Rectifier)
  - SOT186A (Philips, NXP)
  - TO-220ML (Sanyo)
  - TO-220FI(LS) (Sanyo)
  - FTO-220 (Shindengen)
  - SC-67 (Toshiba)
  - TO-220SIS (Toshiba)
  - TO-220F15 (Fuji Electric)
  - MP-45F (NEC)
  - ISOWATT 220AB
  - TO-220NIS
  - TO-220IS
  - TO-220CFM
- vollisolierte Sonderbauformen von TO-220
  - ISOPLUS 220LV (IXYS)
  - ITO-220 (Shindengen)
  - SC-87
- vollisolierte Version von TO-220AC, SOD100, ISOWATT 220AC
- TO-220IS-4 (4 Pins)
- TO-220IS-5 (5 Pins)
TO-202-1 = ähnlich TO-220AB
TO-202-3 = ähnlich I2PAK
TO-262, I2PAK, TO-220FL, LDPAK(L) (Renesas)
TO-237
TO-218 (mit 2 oder 3 Pins)
TOP-3 (fast gleich mit TO-218, aber nicht zu verwechseln mit TO-3P)
TO-3P, TO-3P(N) Achtung: TO-3P von Microsemi = TO-247 mit 2 Pins; TO-3P von Master Instrument Corp. (MiC) = TO-247AC

Beim TO-3P-Gehäuse gibt es zwei verschiedene Bauweisen, die sich durch den Abstand der Pins zur Rückseite (1,4 mm oder 2,7 mm) unterscheiden.

- TO-3PF (vollisoliert), TO-3P(N)IS (Toshiba), TO-3PFM (Renesas)
TO-3PF von Fairchild (nicht vergleichbar mit anderen TO-3PF)
- ISOWATT 218 (ST), TO-3P(H)IS (KEC)
TO-247, TO-247AC, SOT429
TO-247FULLPACK, SOT199
Power TO-247, TO-247PLUS: Wie TO-247, nur ohne Befestigungsloch und daher mit größerer Oberfläche zum Kühlkörper und niedrigeren Wärmewiderstand.
TO-264, TO-3PBL, TO-3PL, SOT430, TO-247-JUMBO, TOP3L, TO-3P(L)
Plus TO-264 und ähnliche: Wie TO-264, nur ohne Befestigungsloch und daher mit größerer Oberfläche zum Kühlkörper und niedrigeren Wärmewiderstand.

Gehäuse zur Flanschbefestigung

Verwendet für große Verlustleistungen, seitliche Löcher zur Schraubbefestigung, Löt-, Steck- oder Schraub-Anschlüsse nach oben. Die wärmeableitende Bodenplatte ist isoliert, die Befestigung dient nicht zugleich als elektrischer Anschluss.

SOT-227, ISOTOP
RD-91, z. B. Triacs der BTA-Serie (STMicroelectronics)
Sondergehäuse div. Hersteller (z. B. von Semikron)

Kunststoffgehäuse für Gleichrichter

GBU
KBU
Dual in-line package (DIL, auch DIP) – Pins stehen in 2 Reihen
- DF-M (Fagor; Form einen 6-pol. DIL-Gehäuses, jedoch mit 4 Pins)
Einreihige Pin-Anordnung (SIL von engl. Single in Line)
- Rastermaß 4 mm (Fagor)
- Rastermaß 5 mm (Fagor)
Runde Gehäuse
- Durchmesser 9,5 mm (C800-, C1000-, C1500-Typen; für ca. 0,8…1,5 A) (Fagor)
Eckige Gehäuse mit zentralem Loch für M5-Schraube
- 28,6 × 28,6 × 7,6 mm mit THT-Pins (Drähten) oder Flachsteckern (für 10…35 A; Fagor & Semikron)

DIL-Kunststoffgehäuse mit mehr als vier Pins

DIL-14

DIL
- CERDIP (Keramikgehäuse)
- TO-116 = 14-poliges DIP

Gehäuse für Oberflächenmontage (SMD)

- Zylinderform, Glas, Anschlüsse = Endkappen:
  - MicroMELF, LS-31
  - MiniMELF, SOD-80, SOD-80C, LL-34
  - MELF, DO-213AB, LL-41

- Zwei Anschlüsse, Kunststoff:
  - DO-214AC, SMA
  - DO-214AA, SMB
  - DO-214AB, SMC
  - SOD-123
  - SOD-323
  - SOD-523

SOT-23

TO-263 (D2PAK) mit 4 Pins

TO-263 (D2PAK) mit 3 Pins

- Drei bzw. vier Pins:
  - SC-75, SSM (Toshiba)
  - SOT-23, TO-236, SC-59, S-MINI (Toshiba), MPAK (Renesas), CP (Sanyo), Mini3-G1 (Panasonic)
    - SOT23-5
    - SOT23-6
  - SOT-89, SC-62, UPAK (Renesas), PW-Mini (Toshiba), MPT3 (Rohm), PCP (Sanyo), Mini3P-F2 (Panasonic)
  - SOT-223
  - SOT-323, SC-70, USM (Toshiba)
  - TO-252, DPAK, SC-63, DPAK(S) (Renesas)
  - TO-263, D2PAK, SC-83, TO-220SM, LDPAK(S) (Renesas), SMD-220, SOT-404

- Vier oder mehr Pins:
  - SO, SOIC, SOP
  - MSOP 2-fach achsensymmetrisches IC-Gehäuse; 0,65 mm Beinabstand (Pitch) (JEDEC Spezifikation MO-187-AA)
  - PSOP 2-fach achsensymmetrisches IC-Gehäuse mit zentralem Masse- / Wärmekontakt; 1,27 mm Pitch (National)
  - SSOP
  - TSSOP
  - LFPAK, SC-100

Gleichrichter

MBS (Fagor)

Siehe auch

Chip-Bauform

Quellen

Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, NXP Semiconductors (früher Philips Semiconductor), STMicroelectronics, Toshiba, International Rectifier, NEC, Renesas Electronics, Semikron, KEC, Sanyo, Schott

Weblinks

IC-Gehäuseformen in der Mikrocontroller-Wiki
National Semiconductor: Gehäuseübersicht mit Bildern (Memento vom 28. Oktober 2012 im Internet Archive)
Bernd Wiebus: Über TO-92 Gehäuse. Abgerufen am 12. März 2017 (Aufsatz über TO-92-Gehäuse, mit Betrachtung über Footprints.(deutsch) PDF-Datei 1,88 MB).