Diskussion:Charge-coupled Device

Das Nebeneinander von Charge Coupled Device und CCD-Sensor ist gut. Denn nicht jedes Charge Coupled Device ist auch ein (evtl. lichtempfindlicher) CCD-Sensor.

Hier sollten die CCD- Physik/Elektronik/Technik und Bauformen erläutert werden, während der Artikel für den CCD-Sensor mehr seine Funktion und Anwendungsformen und -nutzen erklären sollte. (nicht signierter Beitrag von Fmeyer01 (Diskussion | Beiträge) 19:10, 18. Mai 2009 (CEST))

Lichtempfindlichkeit

Hier werden bisher die Zusammenhänge mit der Lichtempfindlichkeit nicht erklärt - wer weiß was? Wenn man sich vorstellen kann, wie beispielsweise aus dieser Eigenschaft nutzbare Bilddaten entstehen, würde das den Artikel bereichern. --Frithjof Meyer 19:10, 18. Mai 2009 (CEST)

Siehe Filmempfindlichkeit. Ich hoffe das hilft dir weiter. --Cepheiden 20:03, 18. Mai 2009 (CEST)

übertrag aus Diskussion:Charge Coupled Device (allgemein)

Versionsgeschichte:

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• (Aktuell) (Vorherige) 10:52, 13. Dez. 2006 Ulfbastel (Diskussion | Beiträge) (Zustimmunng - habe die Vorarbeit getan) (entfernen)
• (Aktuell) (Vorherige) 20:36, 27. Nov. 2006 Kalkofe3 (Diskussion | Beiträge) (entfernen)
• (Aktuell) (Vorherige) 14:05, 22. Nov. 2006 Sdauth (Diskussion | Beiträge) (→Lemma) (entfernen)
• (Aktuell) (Vorherige) 21:36, 18. Jul. 2006 Inschanör (Diskussion | Beiträge) (lemma)

Lemma

Siehe Portal Diskussion:Halbleiter --inschanör 23:36, 18. Jul 2006 (CEST)

Dieses Lemma ist mehr als verwirrend. Mein Vorschlag: einarbeiten in Charge-coupled Device und dieses Lemma löschen --Sdauth 15:05, 22. Nov. 2006 (CET)

Kann ich nur unterstützen! Seite zur Begriffsklärung nichtvergessen. -- Kalkofe3 21:36, 27. Nov. 2006 (CET)

Zustimmunng - habe die Vorarbeit getan

ich habe nun bei charge-coupled Device alles soweit vorbereitet und eingearbeitet - die einseitige Ausrichtung dieses Artikels auf Fotoanwendungen ist nun um die „allgemein“ Inhalte ergänzt. weiteres kann dann dort hin.--Ulfbastel 11:52, 13. Dez. 2006 (CET)

Einwurf

Von der Systematik her gibt es die (Überklasse) der CCD - Bauteile (wie in ccd allgemein beschrieben). Ein Spezialfall ist der CCD-Fotosensor. Historisch ist nun zuerst unter CCD der Artikel zu bekannteren Spezialfall entstanden, so dass (nur?) der Zusatz allgemein gestattete , den fehlenden Artikel zur Überklasse zu schreiben. Daher der Vorschlag, nicht einarbeiten sondern:

1. Den alten Artikel Charge-coupled Device bzw. die den Fotosensor beschreibenden Passagen zu CCD Sensor oder CCD Fotosensor verschieben.

1. CCD allgemein zu CCD verschieben

Falls abgelehnt, bitte ich dennoch den Artikel ccd allgemein nicht sofort zu löschen sondern mir (als Ersteller) eine Nachricht zu hinterlassen und 7d zur Verfeinerung der Einarbeitung zu lassen. --inschanör 22:26, 13. Dez. 2006 (CET)

Information über CCD's-allgemein macht Sinn für Techniker und wissbegierige Laien. Die meisten Leser sind jedoch beim Begriff CCD's auf Suche nach den Photosensoren... Seit der integration in den Artikel CCDs hat dieser Artikel nicht mehr viel zu bieten. Mann könnte auch eine Sektion "weitere CCD Anwendungen" am Ende des Artikels CCD's hinzufügen. --Knoppen 21:33, 5. Feb. 2007 (CET)

Redundanz

Mir ist gänzlich unbegreiflich, wozu es zwei Artikel zum selben Thema gibt, die auch noch gegenseitig verlinkt sind. Also Charge-coupled Device und Eimerkettenspeicher. -- 15:08, 6. Okt. 2009 (CEST)

Beim ersten Überfliegen der beiden Artikel scheint es sich doch um was unterschiedliches zu handeln. Größter Unterschied: überlappende Taktsignale - bei CCD steht "muss überlappen", während die Taktsignale bei BBDs nicht überlappen. Hilfreich könnte ein Blick in das Datenblatt des TDA1022 sein. Dieses ist ein MOS-IC "Bucket Brigade Delay Line" und verwendet nicht die CCD-Technik - es werden vielmehr einfach Kondensatoren umgeladen, das Schalten wird mit Pass-Transistoren realisiert. Bei CCDs liegen im Ladepfad keine Transistoren (vgl. auch Animation in diesem Artikel). Es handelt sich also nicht um das selbe Thema, von daher sind 2 Artikel in Ordnung. -- Woromir 09:39, 7. Okt. 2009 (CEST)

Ein CCD kann man sich einfach als einen MOSFET mit sehr vielen Gates vorstellen. Bei den ersten CCDs wurde mit drei Taktsignalen ähnlich Drehstrom gearbeitet, damit waren 1., 4, 7. etc Gate am ersten Takt, 2., 5. 8. etc. Gate am zweiten Takt und schließlich das 3., 6., 9., etc. Gate am dritten Takt. WICHTIG: die Taktsignale müssen sich nicht "irgendwie" überlappen, sondern einen definierten Schnittpunkt aufweisen und die Flankensteilheit der Taktsignale darf nicht zu groß sein, sonst klappt's nicht. Wird ein Potentialtopf aufgemacht (durch Anheben der Spannung am Gate) und der daneben zugemacht (durch Absenken der pos. Spannung an dessen Gate) breiten sich die Elektronenpakete per Diffusion aus, das dauert. Daher darf der Potentialwechsel zwischen den benachbarten Gates nicht zu schnell gehen, sonst drückt man die Elektronen ins Nirvana. Heutzutage verwendet man hauptsächlich CCDs mit zwei Taktsignalen (ein Takt am 1., 3., 5., etc. Gate, der Gegentakt am 2., 4., 6., etc. Gate). Die Gates selbst sind dann nicht mehr eben auf dem Halbleiter, sondern in einer Richtung (gegen die Transportrichtung) ist die Oxidschicht dicker, damit die Potentialtöpfe unter denn Gates asymmetrisch werden. So ist ein Ladungstransport nur in eine Richtung möglich, aber das ist kaum ein Nachteil. Vorteil ist natürlich, dass man nur zwei Taktsignale braucht. Aber auch hier gilt wieder, dass deren Schnittpunkte und Flankensteilheiten definiert sein müssen. (nicht signierter Beitrag von 109.193.25.231 (Diskussion) 12:41, 30. Jan. 2011 (CET))